电阻和电阻率,电阻和电阻率的区别和联系

电阻和电阻率,电阻和电阻率的区别和联系

电阻和电阻率电阻和电阻率的区别和联系电阻和电容并联的阻抗电阻和电流成正比还是反比电阻和电阻率的区别本文汇总元素单质的电阻率。 The electrical resistivity of 241Am metal. Journal of Physics and Chemistry of Solids Volume 38, Issue 11, 1977, Pages 1301-1305 The electrical。

本文汇总元素单质的电阻率。 The electrical resistivity of 241Am metal. Journal of Physics and Chemistry of Solids Volume 38, Issue 11, 1977, Pages 1301-1305 The electrical。

电阻变为零的现象，而这一温度称为超导转变温度（Tc）。超导现象的特征是零电阻和完全抗磁性。 超导现象是指材料在低於某一温度时，电阻变为零（以目前观测，即使有，也小至10−25欧姆·平方毫米/米以下）的现象，而这一温度称为超导转变温度（Tc）。超导现象的特征是零电阻和完全抗磁性。 金属导体的电阻。

dian zu bian wei ling de xian xiang ， er zhe yi wen du cheng wei chao dao zhuan bian wen du （ T c ） 。 chao dao xian xiang de te zheng shi ling dian zu he wan quan kang ci xing 。 chao dao xian xiang shi zhi cai liao zai di yu mou yi wen du shi ， dian zu bian wei ling （ yi mu qian guan ce ， ji shi you ， ye xiao zhi 1 0 − 2 5 ou mu · ping fang hao mi / mi yi xia ） de xian xiang ， er zhe yi wen du cheng wei chao dao zhuan bian wen du （ T c ） 。 chao dao xian xiang de te zheng shi ling dian zu he wan quan kang ci xing 。 jin shu dao ti de dian zu 。

=\sigma \mathbf {E} \,\!} 。 有些物质会有异向性 (anisotropic) 的电导率，必需用 3 X 3 矩阵来表达（使用数学术语，第二阶张量，通常是对称的）。 电导率是电阻率 ρ {\displaystyle \rho \,\!} 的倒数。在国际单位制中的单位是西门子／公尺 (S·m-1)：。

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热敏电阻（英语：thermistor）是一种传感器电阻，电阻值隨着温度的变化而改变，且体积隨温度的变化较一般的固定电阻要大很多。热敏电阻的英文「thermistor」是由Thermal（热）及resistor（电阻）两词组成的混成词。热敏电阻属可变电阻的一类，广泛应用于各种电子元件中，例如涌浪电流限。

薄膜电阻(sheet resistance)，又被称为方块电阻、方阻，是具有均匀厚度薄膜电阻的量度，通常被用作评估半导体掺杂的效果。使用这种概念的例子有：半导体的掺杂领域（比如硅或者多晶硅），以及被丝网印刷到薄膜混合微电路基底上的电阻。薄膜电阻的概念与电阻或者电阻率。

石油天然气工业用电缆测井来取得地层岩石性质的连续记录。这能推出进一步的性质，如含烃饱和度，孔隙度，渗透率和地层压力，可用于进一步的钻探和生产决策。电缆测井是通过电缆末端的测井仪器下降到油井里，通过不同传感器来记录岩石物理性质。测井仪器经过这几年的发展可测量电阻，声波，放射性，电磁，核磁共振以及岩石和岩石充填的流体的其他性质。。

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电阻率ρ是单位是欧姆⋅米（Ω⋅m）。  样品的厚度t的单位是米（m）。 薄膜电阻RS的单位是欧姆每平方（Ω/sq或 Ω / ◻ {\displaystyle \Omega /\Box } ）。 样品的平均电阻率ρ=RS⋅t，薄层电阻RS的决定如下。对于电阻率各向异性材料、个别电阻组件，如ρx或ρy，可以使用蒙哥马利方法计算。。

\delta } 是一个和导体的电阻率以及交流电的频率有关的系数，称为集肤深度（skin depth）。 δ = 2 ρ ω μ {\displaystyle \delta ={\sqrt {{2\rho } \over {\omega \mu }}}} 其中： ρ =导体的电阻率 ω = 交流电的角频率。

物质在一定磁场下电阻改变的现象，称为“磁阻效应”，磁性金属和合金材料一般都有这种磁电阻现象，通常情况下，物质的电阻率在磁场中仅产生轻微的减小；在某种条件下，电阻率减小的幅度相当大，比通常磁性金属与合金材料的磁电阻值约高10余倍，称为“巨磁阻效应”（GMR）；而在很。

则是决定其函数和特定温度下电阻率数值的係数。 而导体而言， α {\displaystyle \alpha } 即为其电阻温度係数。半导体的电阻温度係数则不太一致，有些文献將上述的 α {\displaystyle \alpha } 为半导体的电阻温度係数。但描述半导体的电阻温度特性时，常会整理上式，使。

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IGBT），是半导体器件的一种，主要用於电动车辆、铁路机车及动车组的交流电电动机的输出控制。传统的BJT导通电阻小，但是驱动电流大，而MOSFET的导通电阻大，却有着驱动电流小的优点。IGBT正是结合了这两者的优点：不仅驱动电流小，导通电阻也很低。 这种电晶体结合了金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）的高电流单柵控。

电阻將趋于无限大。其他人，包括卡末林·昂內斯，觉得一个导体的电阻將稳步下降，下降到零。马希森（Augustus Matthiessen）指出，当温度降低时，通常会提高金属的导电率，或换句话说，电阻率通常隨著温度下降。昂內斯利用液氦将金和铂冷却到4.3 K以下，发现铂的电阻为一常数。随后他又将汞冷却到4。

为通过物体的电流。 假设一个物体具有均匀截面面积，则其电阻与电阻率、长度成正比，与截面面积成反比。 在国际单位制中，电阻的单位为欧姆（Ω，Ohm）。电阻的倒数为电导，单位为西门子（S）。 假设温度不变，则很多种物质会遵守欧姆定律，即这些物质所组成的物体，其电阻为常数，不跟电流或电压有关，一般称这些物质为「。

）的合金系列，通常用作电阻丝、烤面包机、电热水壶和空间加热器等设备中的加热元件、一些牙齿修复（填充物）和一些其他应用中。 镍铬合金于190年由Albert Marsh获得专利（美国专利811,859），是有记录的最古老的电阻加热合金。 镍铬合金颜色呈银色，耐腐蚀，熔点约为1,400 °C（2,550 °F），电阻率约为112。

忆阻器（memristor）又名记忆电阻（memory resistor 的混成词），是一种被动电子元件。如同电阻器，忆阻器能产生並维持一股安全的电流通过某个装置。但是与电阻器不同的地方在於，忆阻器可以在关掉电源后，仍能「记忆」先前通过的电荷量。两组的忆阻器更能产生与电晶体相同的功能，但更为细小。最。

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率可查表。 电阻 R 与电极间距 l 成正比，与样品截面积 A 成反比(注意：上图用 S 表示面积)，即 R = l A ρ . {\displaystyle R={\frac {l}{A}}\rho .} 其中ρ为电阻率。 实验中，电导池用比电阻 ρ* 已知的溶液校准，所以。

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电阻率（英语：resistivity），也称为体积电阻率或比电阻，是材料的特性，用于测量其电阻或抵抗电流的能力。 低电阻率表示材料容易通过电流。 电阻率通常用希腊字母ρ表示。电阻率的SI单位是欧姆·米（Ω· m）。例如，如果7000100000000000000♠1 m3实心立方体材料在两个相对面上。

，继电器复位，副绕组的触头断开，脱离电源。 为使副绕组电阻与电抗值比值较高，使副绕组中的起动电流在相位上超前于主绕组的起动电流，通常采用如下措施： 用较细的铜线，以增大电阻 部分线圈反绕，以增大电阻减小电抗 用电阻率较高的铝线 串联一个外加电阻 电容起动单相异步电动机的副绕组与起动电容器串联经启动。

单位也是欧姆，是很重要的电阻量，適用於计算非欧姆元件的电性。 詹姆斯·马克士威詮释欧姆定律为，处於某状態的导电体，其电动势与产生的电流成正比。因此，电动势与电流的比例，即电阻，不会隨著电流而改变。在这里，电动势就是导电体两端的电压。参考这句引述的上下文，修饰语「处於某状態」，詮释为处於常温状態，这是因为物质的电阻率。

电阻率（英语：Resistivity），又称电阻系数，是描述材料导电性能的物理量。 电阻率在数值上等于单位长度、单位截面的某种物质的导电度]。电阻率与导体的长度、横截面积等因素无关，是导体材料本身的电学性质，由导体的材料决定，且与温度有关。 电阻率在国际单位制的单位是Ω·m，读作欧姆米，简称欧米。常用单位为“欧姆·米”。。

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